CS310M電化學(xué)工作站

產(chǎn)品型號(hào)：

所屬分類：電化學(xué)工作站

更新時(shí)間：2025-03-05

簡(jiǎn)要描述：全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和精確度，性價(jià)比高，具備所有基礎(chǔ)電化學(xué)以及阻抗測(cè)試功能。
● 新增IR補(bǔ)償功能、恒流阻抗測(cè)試技術(shù)
● 包含基礎(chǔ)功能和阻抗模塊，滿足大部分研究領(lǐng)域
● 全浮地模式，性價(jià)比高
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可選30V）
● 電流控制范圍：±2A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
● 電位分辨率：1μV，電流分辨率：1pA（可選100fA）

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詳細(xì)說明：

產(chǎn)品介紹

CS電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和精確度，先進(jìn)的硬件和功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了優(yōu)秀的科研平臺(tái)。

應(yīng)用
（1）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究；

（2）電化學(xué)分析研究；
（3）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
(4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器

● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz
    ● 高帶寬高輸入阻抗的放大器
    ● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可選30V）
● 電流控制范圍：±2A （可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
    ● 電位分辨率：1μV，電流分辨率：1pA（可選100fA）

軟件特點(diǎn)

① 數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等；

極化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率b_a，b_c，腐蝕電流密度i_corr，極限擴(kuò)散電流、極化電阻R_p和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻R_n和譜噪聲電阻R_sn(f)。

② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③ 定時(shí)測(cè)量

CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能，對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，為實(shí)驗(yàn)提供方便。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

① 交流阻抗

儀器采用相關(guān)積分算法和雙通道同步過采樣技術(shù)，具有較強(qiáng)的抗干擾能力，尤其適合于涂層、混凝土等高阻體系（>10⁹Ω）的交流阻抗測(cè)量，也可用于Mott-Schottky 曲線和微分電容曲線繪制。軟件能實(shí)時(shí)顯示開路電位，用戶無需輸入，即可輸出準(zhǔn)確的極化過電位。

具有恒流阻抗測(cè)試功能，尤其適合于18650、軟包電池等超低阻儲(chǔ)能器件的交流阻抗測(cè)量。

② 極化曲線

具有線性極化和Tafel極化曲線測(cè)量功能，用戶可設(shè)定循環(huán)極化曲線的陽極回掃電流（鈍化膜擊穿電流），來確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位，評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析極化曲線，可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。

6063鋁合金在含Ce³⁺的3%NaCl溶液中的EIS 鈦基非晶態(tài)合金和不銹鋼在3%NaCl溶液中的極化曲線

③ 伏安分析

能完成線性掃描伏安（LSV）、循環(huán)伏安（CV）等電分析方法，集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。

聚吡咯超級(jí)電容器在0.5mol/L H₂SO₄溶液中的CV曲線鉑電極在K₄[Fe(CN)₆] + KCl溶液中的CV曲線

④ 電化學(xué)噪聲

采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動(dòng)，可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開裂等局部腐蝕研究。通過噪聲譜分析，可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長(zhǎng)和死亡過程。基于噪聲電阻和點(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算，也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。

低碳鋼在0.05mol/L Cl^-+0.1mol/L NaHCO₃溶液中的電化學(xué)噪聲

⑤ 全浮地測(cè)量

CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電極，可用于工作電極本身接地體系的電化學(xué)研究，如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試（釜體接地），大地中金屬構(gòu)件（橋梁、混凝土鋼筋）的在線腐蝕研究等。
⑥ 正反饋IR補(bǔ)償

啟動(dòng)IR補(bǔ)償后，電化學(xué)工作站會(huì)增加一個(gè)額外模擬反饋路徑，通過測(cè)量電解池電流，啟用正反饋補(bǔ)償，硬件電路增加反饋信號(hào)，自動(dòng)對(duì)R_s上的壓降進(jìn)行補(bǔ)償。

⑦ 自定義方法
支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法；
提供用戶自定義腳本編寫范例，用于實(shí)現(xiàn)您的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

技術(shù)指標(biāo)

硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位控制范圍：±10V	恒電流控制范圍：±2A
電位控制精度：0.1%	電流控制精度：0.1%
電位靈敏度：1μV	電流靈敏度：1pA（可選100fA）
電位上升時(shí)間：1μs	電流量程：2nA～2A 10檔
參比電極輸入阻抗：10¹³Ω\|\|8pF	最大輸出電流：±2A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
槽壓輸出：±21V （可選30V）	電流掃描增量：1mA@1A/ms
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s	電位掃描電位增量：0.076mV @1V/ms
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的最小電位增量：0.020mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1KHz	電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μs	低通濾波器：8段可編程
通訊接口：USB2.0、RJ45網(wǎng)口	儀器重量：7.6Kg
外形尺寸（mm）：365(W)338(D)140(H)

電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)

信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz	交流信號(hào)幅值：0mV～2500mV
頻率精確度：0.005%	信號(hào)分辨率：0.1mV RMS
DDS輸出阻抗：50Ω	直流偏壓：-10V～+10V
正弦波失真率：<1%	波形：正弦波，三角波，方波
掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
信號(hào)分析器
最大積分時(shí)間：10⁶個(gè)循環(huán)或者10⁵s	測(cè)量時(shí)間延遲：0～10⁵s
最小積分時(shí)間：10ms或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間
直流偏置補(bǔ)償
電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V	電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)

儀器配置
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2) CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
5）電極電纜線1條
6）電腦（選配*）

功能方法

CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較

功能方法		CS300M	CS310M	CS350M
穩(wěn)態(tài)極化	開路電位（OCP）	●	●	●
	恒電位極化（i-t曲線）	●	●	●
	恒電流極化	●	●	●
	動(dòng)電位掃描（Tafel曲線）	●	●	●
	動(dòng)電流掃描（DGP）	●	●	●
	電位掃描-階躍			●
暫態(tài)極化	任意恒電位階梯波	●	●	●
	任意恒電流階梯波	●	●	●
	恒電位階躍（VSTEP）	●	●	●
	恒電流階躍（ISTEP）	●	●	●
計(jì)時(shí)分析	計(jì)時(shí)電位法（CP）	●	●	●
	計(jì)時(shí)電流法（CA）	●	●	●
	計(jì)時(shí)電量法（CC）	●	●	●
伏安分析	線性掃描伏安（LSV）	●	●	●
	循環(huán)伏安（CV）	●	●	●
	階梯循環(huán)伏安（SCV）	●		●
	方波伏安（SWV）	●		●
	差分脈沖伏安（DPV）	●		●
	常規(guī)脈沖伏安（NPV）	●		●
	差分常規(guī)脈沖伏安（DNPV）	●		●
	交流伏安（ACV）	●		●
	二次諧波交流伏安（SHACV）	●		●
	傅里葉變換交流伏安（FTACV）	●		●
電流檢測(cè)	差分脈沖電流檢測(cè)（DPA）			●
	雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA）			●
	三脈沖電流檢測(cè)（TPA）			●
	積分脈沖電流檢測(cè)（IPAD）			●
溶出伏安	電位溶出分析（PSA）	●		●
	線性掃描溶出伏安（LSSV）	●		●
	階梯溶出伏安（SCSV）	●		●
	方波溶出伏安（SWSV）	●		●
	差分脈沖溶出伏安（DPSV）	●		●
	常規(guī)脈沖溶出伏安（NPSV）	●		●
	差分常規(guī)脈沖溶出伏安（DNPSV）	●		●
交流阻抗	頻率掃描-電位控制模式（EIS-V）		●	●
	頻率掃描-電流控制模式（EIS-I）		●	●
	電位掃描（IMPE,Mott-Schotty)		●	●
	時(shí)間掃描-電位控制模式		●	●
	時(shí)間掃描-電流控制模式		●	●
充放電測(cè)試	電池充放電	●	●	●
	恒電流充放電（GCD）	●	●	●
	恒電位充放電	●	●	●
	恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）	●	●	●
	恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）	●	●	●
雙恒測(cè)量	氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）	●	●	●
	盤環(huán)電極測(cè)試	●	●	●
	法拉第效率測(cè)試	●	●	●
擴(kuò)展測(cè)量	電化學(xué)噪聲（EN）	●	●	●
	電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）	●	●	●
	電化學(xué)溶解/沉積	●	●	●
	控制電位電解庫倫法（BE）	●	●	●
	動(dòng)電位再活化法（EPR）	●	●	●
	溶液電阻測(cè)量	●	●	●
	循環(huán)極化曲線（CPP）	●	●	●
	任意恒電位極化	●	●	●
	腳本化定制測(cè)試	●	●	●